报告题目：二维半导体材料与光电性质

时间：12月7日（周四）上午10：30

地点：徐汇校区实验二楼318

报告人：陈东学，中国科学技术大学研究员

讲座摘要：

因其光滑表面以及优越的电子和光学性质，二维半导体是未来光电子器件理想的候选材料。科技的发展对器件微小型化的要求越来越高，对半导体材料性质及其器件性能进行纳米级甚至原子级调节与操控成为未来重要的研究方向。例如，可控的稳定石墨烯量子点是很有前途的量子计算的备选半导体材料之一；超短沟道长度的二维半导体场效应晶体管可以避免传统半导体场效应晶体管无法避免的短沟道效应等等。近期，报告人通过对双层或多层二维材料层间旋转角度的精确调控，形成二维莫尔超晶格异质结，并对其强关联物理性质进行了研究。揭示了WSe₂/WS₂二维莫尔超晶格异质结中层间激子和强关联电子的作用规律和机理；理清了二维莫尔超晶格异质结中莫尔势的面外作用范围和影响因素；并且在二维莫尔超晶格中发现了激子绝缘体等量子现象。

报告人简历：

陈东学，中国科学技术大学苏州高等研究院/物理学院，中科院百人计划特任研究员。2016年获得国家纳米科学中心理学博士学位。毕业后，先后于南方科技大学、北京大学和伦斯勒理工学院等国内外高校从事博士后研究工作。近五年来，以第一/共一作者在Nature Physics（1篇）, Nature Communications（4篇）、Nano Letters（1篇）和Nanoscale（2篇）等国际知名期刊发表8篇论文。并合作发表论文25篇，获得中国专利2个。相关工作获得国际同行的广泛认可。